文章附圖

11月25日,科技部高新技術司副司長雷鵬、高新技術司材料處孟磊一行蒞臨基本半導體,深入調研企業發展情況。

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11月25日,科技部高新技術司副司長雷鵬、高新技術司材料處孟磊一行蒞臨基本半導體,深入調研企業發展情況。

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一汽集團、北汽集團、上汽集團、廣汽集團、長城汽車、小鵬汽車、豐田汽車、電裝中國、大陸汽車、上海保隆、清華大學等18家單位代表參會交流。

12/01
2020

11月25日,科技部高新技術司副司長雷鵬、高新技術司材料處孟磊一行蒞臨基本半導體,深入調研企業發展情況。

12/01
2020

11月25日,科技部高新技術司副司長雷鵬、高新技術司材料處孟磊一行蒞臨基本半導體,深入調研企業發展情況。

11/24
2020

基本半導體總經理和巍巍博士榮獲電源科技獎之優秀青年獎,也是獲此獎項的唯一一位企業家代表。

11/24
2020

一汽集團、北汽集團、上汽集團、廣汽集團、長城汽車、小鵬汽車、豐田汽車、電裝中國、大陸汽車、上海保隆、清華大學等18家單位代表參會交流。

11/21
2020

11月20日,“2020中歐科技創新合作發展論壇”分論壇“中歐第三代半導體產業高峰論壇”在深圳隆重舉行。

11/07
2020

基本半導體憑借深厚的技術實力和優秀的市場表現力,從眾多企業中脫穎而出,入選“芯科技”新銳企業50榜單。

08/26
2020

近期,基本半導體推出內絕緣型的TO-220封裝碳化硅肖特基二極管產品。該產品在內部集成一個陶瓷片用于絕緣和導熱,可簡化生產步驟,提高生產質量和整機的長期可靠性,有效解決產業界痛點問題。內絕緣TO-220封裝外形跟普通鐵封TO-220產品基本...

07/23
2020

1、器件散熱選擇為了確保碳化硅肖特基二極管(SiC JBS)的安全運行,器件結溫Tj必須低于Tj(max),在進行熱設計時需留有余量,以保證在額定負載或過載等狀態下結溫Tj在Tj(max)以下。當SiC JBS器件在高于Tj(max)的溫度...

07/23
2020

一、碳化硅肖特基二極管的可靠性1、dv/dt、di/dt破壞通常情況下,當給硅快恢復二極管和碳化硅肖特基二極管施加過大的dv/dt 時,器件都有可能因過壓而損壞,因此在碳化硅肖特基二極管器件設計使用過程中需參考規格書中的參數,避免此類問題的...

07/23
2020

前   言目前,在實現“綠色能源”的新技術革命中,眾多高頻開關電源已經開始實現高功率因數校正技術(特別是在通信電源中),其中采用有源功率因數校正的居多。連續導電模式Boost變換器是電源系統中應用較廣的功率因數校正變換器。在硬開關連續導電模...

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