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外延技術

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    基本半導體生產150mm 碳化硅外延片,具有極佳的均勻性,外延厚度最高可達250μm。針對不同規格要求,我們提供一套完整的碳化硅材料外延解決方案。
?  針對帶緩沖層或無緩沖器的厚外延層,低摻雜層厚度可高達250μm。
?  包括PN結和不同摻雜水平的多層結構。
?  在外延過程中嵌入或埋置指定結構和接觸層。

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