碳化硅外延材料
產品詳情

基本半導體生產100/150mm 碳化硅外延片,具有極佳的均勻性和極低的缺陷密度。針對不同規格要求,我們提供一套完整的碳化硅外延材料解決方案

?  針對帶緩沖層或無緩沖層的厚外延層,低摻雜層厚度可高達250μm。
?  包含PN結和不同摻雜水平的多層結構。
?  在外延過程中嵌入和埋置指定結構和接觸層。


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濃度均勻性佳


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250μm外延層的缺陷密度


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高效的緩沖層外延技術

   ? 提供雙極性SIC器件工藝 

   ? 完美的實現從BPD轉換到TED

   e  << 0.1 BPDs每平方厘米

   ? 防止晶體缺陷在生長開始時的成核


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